IGBT 600V 22A 156W a isolé le transistor bipolaire IRGB10B60KDPBF de porte

Number modèle:IRGB10B60KDPBF

Point d'origine:L'Allemagne

Quantité d'ordre minimum:5-10pcs

Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement:10,000pcs

Délai de livraison:dans 2-3days courant

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TECHNOLOGIE CIE., LTD DE L'ÉLECTRONIQUE D'ÉPICERIE

Fournisseur Vérifié

Shenzhen Guangdong China

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IRGB10B60KDPBF # transistor bipolaire isolé de porte avec la diode molle ultra-rapide IGBT de récupération

600V 22A 156W TO220AB

Caractéristiques

• Bas VCE (dessus) poinçonnent non par la technologie d'IGBT.

• Basse diode VF.

• capacité du court-circuit 10µs.

• Place RBSOA.

• Caractéristiques inverses de récupération de diode Ultrasoft.

• Coefficient de température positif de VCE (dessus).

• Sans plomb

Avantages

• Efficacité de référence pour le contrôle de moteur.

• Représentation passagère rocailleuse.

• Bas IEM.

• Excellent partager actuel dans l'opération parallèle.

Numéro de la pièce	IRGB10B60KDPBF
Fabricant	Infineon
Transistors discrets de produits semiconducteurs de catégories - IGBTs - fabricant simple	Infineon
Emballage	Tube
Original	L'Allemagne
Statut de partie	Actif
Type d'IGBT	TNP
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum)	600V
Actuel - collecteur (IC) (maximum)	22A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées)	44A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge IC	2.2V @ 15V 10A
Puissance - maximum	156W
Énergie de changement	140µJ (dessus) 250µJ ()
Type d'entrée	Norme
Charge de porte	38nC

Tehcnology Co.,Ltd. de l'électronique d'épicerie
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Contact : VIVI-CHEN

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