Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Number modèle:SMBJ5.0A
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Diodes passagères des dispositifs antiparasites TV de tension de bti extérieur des diodes avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W


Série de SMBJ

Protégez l'électronique sensible contre des coupures de tension induites
par la commutation et la foudre de charge inductive. Idéal pour la protection des interfaces d'entrée-sortie,
Autobus Vcc et d'autres circuits intégrés.
CARACTÉRISTIQUES
• Chaîne de tension d'impasse 5,0 170 volts
• Unidirectionnel et bidirectionnel
• Jonction passivée en verre
• Paquet de Jedec conçu pour répondre aux besoins d'assemblée de SM
• Basse inductance principale
• la montée subite de 100% a examiné
• L'UL a reconnu
ESTIMATION MAXIMUM
• Puissance de crête des impulsions (Ppk) 600 watts (10 x 1000µs) de @25°C (voir le diagramme la page 3 pour la forme de vague)
• 1,5 watts d'équilibré
• Temps de réponse : 1 x 10-12 sec (de théorique)
• Estimation en avant de montée subite : 100A, sinus-vague simple de 8,3 Mme demi (seul unidirectionnel)
• Temp d'opération et de stockage. : -55°C +150°C
CARACTÉRISTIQUES MÉCANIQUES
• Cas : DO-214AA a moulé le plastique au-dessus de la jonction passivée en verre UL94V (O) époxyde (Thermoset)
• Terminaux : La soudure a plaqué solderable par MIL-STD-750 méthode 2026
• Solderable mène : 230°C pendant 10 secondes.
• Inscription : bande de cathode (terminal positif, dispositifs unidirectionnels seulement), code de dispositif, logo
Tehcnology Co.,Ltd de l'électronique d'épicerie
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Contact : VIVI-CHEN
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Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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