Transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRF540NSTRLPBF 100V 33A HEXFE
Number modèle:IRF540NSTRLPBF
Point d'origine:L'Allemagne
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, paypal
Capacité d'approvisionnement:10,000pcs
Délai de livraison:dans 2-3days courant
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Shenzhen Guangdong China
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FORTUNE du RM 311 3/F LINZHAN ÉTABLISSANT LE SECTEUR SHENZHEN, CHINE de la ROUTE LIUYUE LONGGANG de la RUE SHENFENG de No.1 SHENHUA
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Détails du produit
IRF540NSTRLPBF Original du transistor 100V 44mΩ 33A de transistor MOSFET de puissance de HEXFE nouvel de haute qualité
Paramètres dans les détails :
Transistors MOSFET avancés de puissance de HEXFET de
Emballage : - 263
Type : Canal de N
Courant continu de drain (identification) 25°C : 33A
tension de Drain-source (VDSS) : 100V
Tension de seuil de source de porte : 4V @ 250uA
Source de fuite sur la résistance : 44 MQ2@16A, 10V
Dissipation de puissance maximum : 130W
Type : Canal de N
Courant continu de drain (identification) 25°C : 33A
tension de Drain-source (VDSS) : 100V
Tension de seuil de source de porte : 4V @ 250uA
Source de fuite sur la résistance : 44 MQ2@16A, 10V
Dissipation de puissance maximum : 130W
Caractéristique
? Technologie transformatrice avancée
? Sur-résistance très réduite
? Estimation dynamique de dv/dt
? température de fonctionnement 175°C
? Commutation rapide
? Entièrement avalanche évaluée
? Sans plomb
Description
Les transistors MOSFET avancés de puissance de HEXFETÆ du
redresseur international utilisent le traitement avancé
techniques pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par
secteur de silicium.
Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la
conception robuste de dispositif
les transistors MOSFET de cette puissance de HEXFET sont bien
connus pour, fournit au concepteur extrêmement un efficace
et dispositif fiable pour l'usage dans une grande variété
d'applications.
Le D2Pak est un paquet extérieur de puissance de bti capable du
logement mourir des tailles jusqu' HEX-4.
Il fournit la capacité de la puissance la plus élevée et le plus
bas possible sur la résistance en n'importe quel paquet extérieur
existant de bti.
Le D2Pak convient aux applications forte intensité en raison de sa
basse résistance interne de connexion
et peut absorber jusqu' 2.0W dans une application extérieure
typique de bti.
La version d' travers-trou (IRF540NL) est disponible pour des
applications de profil bas.
Tehcnology Co.,Ltd de l'électronique d'épicerie
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Contact : VIVI-CHEN
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Transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRF540NSTRLPBF 100V 33A HEXFE
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