transistor MOSFET IRFP260MPBF de puissance de la Manche de l'oxyde de métal de 200V 50A TO247 N - icmemorychip

transistor MOSFET IRFP260MPBF de puissance de la Manche de l'oxyde de métal de 200V 50A TO247 N

Number modèle:IRFP260MPBF
Point d'origine:LES Etats-Unis
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, paypal
Capacité d'approvisionnement:10,000pcs
Délai de livraison:dans 2-3days courant
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: FORTUNE du RM 311 3/F LINZHAN ÉTABLISSANT LE SECTEUR SHENZHEN, CHINE de la ROUTE LIUYUE LONGGANG de la RUE SHENFENG de No.1 SHENHUA
dernière connexion fois fournisseur: dans 41 heures
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Détails du produit

IRFP260MPBF N - transistor MOSFET de puissance de la Manche 200V 50A par l'oxyde de métal de trou TO247-3


CARACTÉRISTIQUES


Type : Transistor mosfet-simple


Emballage : Tube


État de partie : ACTIF


Type de FET : N - la Manche


Technologie : Transistor MOSFET (oxyde de métal)


tension de Drain-source (VDSS) : 200V


Actuel - drains continus (identification) ( 25°C) : 50A (comité technique)


Entraînement de la tension (le RDS maximum DESSUS, le RDS minimum DESSUS) : 10V


VGS (Th) avec différents IDs (maximum) : 4V @ 250µA


Charge de porte (Qg) chez VGs différent (maximum) : 234nC @ 10V


Capacité d'entrée (CISS) VDS différent (maximum) : 4057pF @ 25V


VGS (maximum) : ±20V


Dissipation de puissance (maximum) : 300W (comité technique)


Le RDS SUR (maximum) : 40 mOhm @ 28A, 10V


Température de fonctionnement : -55°C | 175°C (TJ)


Installez le type : Par le trou


Paquet de dispositif de fournisseur : TO-247AC


Paquet/clôture : TO-247-3



Tehcnology Co.,Ltd de l'électronique d'épicerie
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Contact : VIVI-CHEN


China transistor MOSFET IRFP260MPBF de puissance de la Manche de l'oxyde de métal de 200V 50A TO247 N supplier

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