Couche ultrasonique de graines de carbure de silicium pour semi-conducteurs microélectroniques
Numéro de modèle:FS620
Lieu d'origine:Chine
Quantité minimale de commande:1 Unité
Conditions de paiement:T/T, Western Union
Capacité à fournir:1000 unités par mois
Détails de l'emballage:emballé par cas en bois
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Fournisseur Vérifié
Hangzhou Zhejiang China
Adresse:
No. 196 village de Shitashang Qiufeng, Subdistrict de Fuchun, secteur de Fuyang, ville de Hangzhou, province de Zhejiang, Chine. 311400
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Couche ultrasonique de graines de carbure de silicium pour semi-conducteurs microélectroniques
Définition:
Micro electronic semiconductor silicon carbide seed crystal thin
film ultrasonic coating is an emerging technology that combines the
excellent characteristics of silicon carbide with the efficient
coating method of ultrasonic spraying.
En raison de sa haute dureté, de sa haute conductivité thermique et
de son excellente stabilité chimique, le carbure de silicium
convient aux applications haute température et haute
puissance.Micro électronique semi-conducteur carbure de silicium
grain cristallin film mince revêtement ultrasons film mince
revêtement peut atteindre une conductivité électrique et thermique
efficace, adapté divers appareils électroniques et
optoélectroniques.
Paramètres:
| Type de produit | Machine de revêtement par pulvérisation haute précision ultrasons Type de bureau de laboratoire Les pièces détachées | Machine de revêtement de précision par ultrasons intelligente Type de bureau FS620 |
| Fréquence de fonctionnement de la buse de pulvérisation | 20 200 kHz | 20-200KHz (Utiliser normalement 60100110120K) |
| Puissance de la buse | 1 15 W | 1 15 W |
| Volume maximal de pulvérisation en continu | 00,01 50 ml/min | 00,01 50 ml/min |
| Largeur effective de pulvérisation | 2 100 mm | 2 100 mm |
| Uniformité de pulvérisation | ≥ 95% | ≥ 95% |
| Taux de conversion de la solution | ≥ 95% | ≥ 95% |
| Épaisseur du film sec | 20 nm 100 μm | 20 nm 100 μm |
| Viscosité de la solution | ≤ 30 cps | ≤ 30 cps |
| Plage de température | 1 60°C | 1 60°C |
| Particules atomisées (valeur médiane) | 10-45 μm (eau distillée), déterminée par la fréquence de la buse | 10-45 μm (eau distillée), déterminée par la fréquence de la buse |
| Pression de déviation maximale | ≤ 0,10 MPA | ≤ 0,15 MPA |
| Voltage d'entrée | 220V±10%/50-60Hz | 220V±10%/50-60Hz |
| Mode d'exercice | X+Y deux axes entièrement automatique, réglage manuel de l'axe Z | XYZ trois axes, programmable indépendamment |
| Mode de commande | Carte micro-ordinateur, écran tactile de 7 pouces + boutons | Système de commande de pulvérisation FUNSONIC, commande PLC, écran tactile couleur 13,3 pouces |
| Contenu du contrôle | Systèmes de pulvérisation par ultrasons, d'alimentation en liquide, de chauffage, de dispersion par ultrasons et autres | Systèmes de pulvérisation par ultrasons, d'alimentation en liquide, de chauffage, de dispersion par ultrasons et autres |
| Méthode d'approvisionnement en liquide | Pompes d'injection de précision | Pompes d'injection de précision |
| Système de dispersion par ultrasons (facultatif) | 50 ml, 40K, échantillonneur biologique | 20 ml ou 50 ml, 40K, échantillonneur de qualité biologique |
| Puissance nominale du système de dispersion ultrasonique | 200 W, 10 A | 100 W |
Application du produit
1- Dispositifs électroniques: dans les dispositifs électroniques de
puissance, des films minces de carbure de silicium peuvent
améliorer l'efficacité et la résistance la chaleur des dispositifs.
2. Composants optoélectroniques: dans les appareils photovoltaïques
et LED, des films minces de carbure de silicium peuvent améliorer
l'efficacité de conversion photoélectrique.
3- revêtement résistant l'usure: il protège les composants
mécaniques contre l'usure et la corrosion.
Couche ultrasonique de graines de carbure de silicium pour semi-conducteurs microélectroniques
Couche ultrasonique de graines de carbure de silicium pour semi-conducteurs microélectroniques
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