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C-bande 5850-6425MHz rf vers le haut de convertisseur, module d'amplificateur de puissance de rf
Instructions de module d'amplificateur de puissance de VBE rf :
Solutions de VBE des modules de rf comprenant la source de signal de radiofréquence, l'amplificateur de puissance de radiofréquence (PA), l'amplificateur faible bruit (LNA), l'unité extérieure de radiofréquence (ODU) et la solution adaptée aux besoins du client de module de radiofréquence, la bande de P-vague de couverture de bande de fréquence, la bande de L-vague, la bande de S-vague, la bande de Ku-vague et la bande de Ka-vague et ainsi de suite, largement s'appliquant dans le système extrémité élevé d'équipement. Le module adopter un certain nombre de technologie de pointe dans le produit concevant et répondre l'exigence différente de la fonction et du paramètre d'optimisation du traitement.
Spécifications techniques :
Article | Indexez | Remarques |
Chaîne d'InputFrequency | 70MHz±20MHz | |
Chaîne d'OutputFrequency | 5850 mégahertz ~6425 mégahertz | |
Étape de fréquence | 1MHz /125KHz/1KHz | |
Compression du DB P1 | ≥+10dBm | Sélectionnable |
Gain de conversion | 30dB~50dB | |
Contrôle de gain | 50dB/30dB, étape 1dB/0.5dB | Sélectionnable |
Planéité de gain | ±2.5dB/In-band, ±0.8dB/40MHz | Sélectionnable |
Stabilité de gain | ±0.5dB | |
Stabilité de fréquence | ±1×10-7/year, ±1×10-8/day | |
Bruit de phase | -70dBc/Hz @100Hz, -75dBc/Hz @1KHz -80dBc/Hz @10KHz, -90dBc/Hz @100KHz | |
Fuite de LO | ≤-65dBm | |
Fausse sortie | ≤-60dBc | |
intermodulation de Multi-transporteur | ≤-42dBc (double-carrierTotal 0dBm de puissance de sortie) | |
Suppression harmonique | ≤-40dBc (0dBm de puissance de sortie total) | |
Connecteur | SMA/N/BNC | Sélectionnable |
Perte de retour | ≥ 20dB | |
Alimentation d'énergie | C.A. 153V~265V | |
Puissance | ≤40W | |
La température fonctionnante | 0 ~50 degrés Celsius | |
La température fonctionnante | -10 60 degrés Celsius | |
Dimension | 500×482.6×43.7mm |
Caractéristiques du produit :
Applications :