

Add to Cart
1-2GHz, bande L, amplificateur faible bruit LNA, module de rf d'amplificateur de puissance de rf
Modèle : VBP2GL
Instructions de module d'amplificateur de puissance de VBE rf :
Solutions de VBE des modules de rf comprenant la source de signal de radiofréquence, l'amplificateur de puissance de radiofréquence (PA), l'amplificateur faible bruit (LNA), l'unité extérieure de radiofréquence (ODU) et la solution adaptée aux besoins du client de module de radiofréquence, la bande de P-vague de couverture de bande de fréquence, la bande de L-vague, la bande de S-vague, la bande de Ku-vague et la bande de Ka-vague et ainsi de suite, largement s'appliquant dans le système extrémité élevé d'équipement. Le module adopter un certain nombre de technologie de pointe dans le produit concevant et répondre l'exigence différente de la fonction et du paramètre d'optimisation du traitement.
Caractéristiques :
1. Bande de fréquence large ;
2. bas bruit de sortie ;
3. consommation de puissance faible, linéarité élevée ;
4. processus hybride de microassemblage, petite taille, de forte
stabilité ;
5. grand choix de température de fonctionnement ;
6. disponible fait sur commande
Spécifications techniques :
NON. | Article | Description | Min Typical Max | Unité |
1 | Bande de fréquence | B C | 1,5 1,6 1,4 1,7 1,1 1,6 | Gigahertz |
2 | Gain | Sélectionnable | 40 50 60 | DB |
3 | Planéité de gain | Pleine bande | +/--0,5 | DB |
4 | VSWR | Entrée-sortie | 1.3:1 | |
5 | La température de bruit | 23°C | 45 | °K |
6 | puissance de point de la compression 1dB | ≥+10 | dBm | |
7 | 3ème ordre IMD | Dual-tone-12dBm | ≤-51 | dBc |
8 | Stabilité de gain | 24 heures | +/--0,5 | DB |
9 | Connecteur | Entrée-sortie | N ou SMA | |
10 | Surcharge d'entrée | Surcharge 1min | 0 | dBm |
11 | Tension locale | C.C | +12 +15 | V |
12 | La température fonctionnante | -40~+70 | °C |
Applications :