C.C large durable de bande de transistor de puissance de rf à la nitrure de gallium de 6GHz 25W 28 volts

Numéro de type:VBE6003H
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:1pcs
Détails d'emballage:emballage neutre
Capacité d'approvisionnement:10k
Délai de livraison:5-8 jours ouvrables
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Plancher 4, construisant 8, zone industrielle de Xinwei, secteur de Nanshan, Shenzhen, province du Guangdong, Chine
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C.C large durable de bande de transistor de puissance de rf à la nitrure de gallium de 6GHz 25W 28 volts

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