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Combinateur hybride 698 de rf - isolement de 3800MHz PIM 160dBc
Le combinateur hybride est un circuit bande large d'additionneur soustracteur utilisé pour se dédoubler et des signaux du combinateur rf. On le lie l'hybride du DB 3 qui est basé sur des lignes de transmission et est le plus utilisé généralement dans des applications de bande large de puissance élevée.
Avantages de conception
• Conception intégrée de structure.
• Abaissez PIM, perte par insertion inférieure, isolement plus
élevé, et puissance plus élevée remettant la capacité.
• Matériel de support pour le bti de mur et de Polonais fourni.
• Design compact, installation facile.
• Garantie vie
Dactylographiez non. | 95,00031 |
Élém. élect. | |
Port d'entrée | 2 |
Port de sortie | 2 |
Fréquence (mégahertz) | 694-3800 |
Perte par insertion (DB) | ≤3.6 |
Isolement (DB) | ≥30 |
VSWR | ≤1.2 |
Impédance | 50 Ω |
Puissance d'entrée (port de c.w. /per) | 300 W (avg.) |
PIM | dBc ≤-150 (3th ordre avec 2×20W) |
Passage de C.C | By-pass@IN1 OUT1 By-pass@IN2 OUT2 |
Ambiant | |
Température ambiante | -30 °C du °C- +70 (fonctionnement) |
Humidité fonctionnante | 5% - 95% |
Application | IP65 |
Mécanique | |
Connecteurs | N-femelle |
Couleurs | Gris, RAL 7035 (saupoudrage) |
Dimensions ( l'exclusion du connecteur) | 147±2mm×44±2mm×36±1.5mm |
Poids | ≤0.6kg |
Description de produit
1. Conception intégrée de structure : Filtrez est fraisé d'un morceau
solide et n'a aucune pièce soudée, garantissant la représentation
électrique supérieure.
2. Abaissez PIM, perte par insertion inférieure, isolement plus élevé,
et puissance plus élevée remettant la capacité.
3. DC/AISG différenciés 1.1/2.0 passent permettent la pleine
compatibilité avec exiger TMAs.
4. La protection IP67 assure la représentation stable dans n'importe
quel environnement.
5. Matériel de support pour le bti de mur et de Polonais fourni.
6. Design compact, installation facile.
7. Garantie vie.
Profil d'entreprise
Notre société établie en 2014, qui est une entreprise de nouveau-haut-technologie qui se concentrent sur la recherche de technologie de micro-onde, le rf, le composant de micro-onde et le développement d'industrie de système. Nous sommes situés Shenzhen, couvrant 73000m2 total et possédons 300 dispositifs de détection avancés de micro-onde et équipement de usinage de précision. La capacité de production un an ici est autour d'USD2000 million.