Module optique de diode laser de l'isolant 1550nm DFB d'InGaAs de photodiode intégrée de moniteur avec et sans TECHNIQUE
Number modèle:Modules coaxiaux optiques de laser de diode laser du tresse DFB de fibre
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:10sets
Conditions de paiement:Western Union, L/C, T/T
Capacité d'approvisionnement:5000pcs par semaine
Détails de empaquetage:26X5.5X19 cm 0.3KG pour 10 PCs
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Shenzhen Guangdong China
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Secteur 518054 Shenzhen Chine de Rd Nanshan de sud de bâtiment 9ème Yinxingyuan du Rm 604
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Module optique de diode laser de l'isolant 1550nm DFB d'InGaAs de photodiode intégrée de moniteur avec et sans TECHNIQUE
le module de diode laser de 1550nm DFB a une photodiode intégrée de moniteur d'InGaAs et un isolant optique intégrés à l'intérieur de son paquet.
Sa largeur de bande directe de modulation est plus grande que 1.8GHz. Cette diode laser convient aux applications dans les réseaux optiques
comme des systèmes de communication mobile et des systèmes de CATV.
Caractéristiques :
- Largeur de bande analogue plus haute que 1800MHz
- puce de laser de la Haut-fiabilité DFB à 1310nm ou à 1550nm
- Photodiode intégrée de moniteur d'InGaAs
- Isolant optique intégré
- paquet 4-pin pigtailed coaxial, mode unitaire FC/APC ou connecteur de SC/APC (ou tout autre type de connecteur)
Applications :
- Systèmes optiques de répétiteur de fibre dans les réseaux de communication mobile
- Systèmes de transmission de CATV (chemins de retour/liens)
- D'autres applications analogues
Caractéristiques :
Les diodes avec la sortie standard 2mW ou la puissance à haute production 5mW sont disponibles.
Capacités absolues
| Paramètre | Symbole | Mn. | Maximum. | Unité | Condition d'essai |
| Température de stockage | Tstg | -40 | 100 | ℃ | - |
| Température de fonctionnement | Dessus | -40 | 85 | ℃ | - |
| Actuel en avant (LD) | Si (LD) | 150 | mA | ||
| Tension inverse (LD) | Vr (palladium) | 2 | V | ||
| Actuel en avant (palladium) | Si (LD) | 2 | mA | ||
| Tension inverse (palladium) | Vr (palladium) | 15 | V | ||
| Temp de soudure | - | - | 260 | ℃ | - |
| Temps de soudure | - | - | 10 | S | S |
Caractéristiques optiques et électriques
| Paramètre | Symbole | Mn. | Type. | Maximum. | Unité | Condition d'essai |
| Puissance évaluée | PO | 6 | 8 | mW | Ith+40mA | |
| Courant de seuil | Ith | 5 | 10 | mA | Onde entretenue | |
| Opération fonctionnante | Si | 45 | 55 | mA | Onde entretenue, P=Po | |
| Chute de tension en avant | VOP | - | 1,1 | 1,5 | V | Onde entretenue, Ith+40mA |
| Longueur d'onde de cent | λc | 1540 | 1550 | 1560 | nanomètre | -3DB |
| Largeur de spectre | Δλ | - | 0,2 | nanomètre | -20dB | |
| rapport de suppression de Côté-mode | SMSR | 35 | - | DB | - | |
| Largeur de bande (3dB) | Guerre biologique | - | 2,5 | Gigahertz | - | |
| Courant de moniteur | Im | 0,1 | 0,9 | mA | Onde entretenue, Ith+40mA | |
| Courant d'obscurité de moniteur | Identification | - | - | 0,1 | uA | 5V |
| Bruit relatif d'intensité | RIN | - | -155 | -150 | dB/Hz | Onde entretenue, 25℃ |
| Planéité passe-bande de rf | FB | ±1.0 | DB | If=Iop, 45MHz-2500MHz, °C T=25 | ||
| Déformation de troisième ordre | IMD3 | - | -55 | - | dBc | essai de 2 tons, |
| Isolement optique | OIN | 30 | 40 | - | DB | 25℃ |
Module optique de diode laser de l'isolant 1550nm DFB d'InGaAs de photodiode intégrée de moniteur avec et sans TECHNIQUE
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