Haute configuration de pont du module d'alimentation de la performance IGBT demi 2270W 1mA
Quantité d'ordre minimum:1 morceau
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Capacité d'approvisionnement:1000 morceaux par an
Délai de livraison:1-3 jours ouvrables
Détails d'emballage:Emballage standard d'usine
Statut de partie:Actif
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Shenzhen Guangdong China
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C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, Chine 518031
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Détails du produit
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Détails du produit
| Statut de partie | Actif | |
|---|---|---|
| Type d'IGBT | - | |
| Configuration | Demi pont | |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 1200V | |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 300A | |
| Puissance - maximum | 2270W | |
| Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.25V @ 15V, 300A | |
| Actuel - coupure de collecteur (maximum) | 1mA | |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 30nF @ 10V | |
| Entrée | Norme | |
| Thermistance de NTC | Non | |
| Température de fonctionnement | -40°C | 150°C (TJ) | |
| Montage du type | Bti de chssis | |
| Paquet/cas | Module | |
| Paquet de dispositif de fournisseur | Module |
Haute configuration de pont du module d'alimentation de la performance IGBT demi 2270W 1mA
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