Remplacement à bande large de transistor de la Manche de MRF151G rf N pour BLF278

Numéro de type:MRF151G
Point d'origine:USA
Quantité d'ordre minimum:1 morceau
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:10000 morceaux par an
Délai de livraison:1-2 jours de travail
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Transistor 500W, 50V, remplacement bande large d'effet de champ de puissance de MRF151G rf de transistor MOSFET du N-canal 175MHz pour BLF278

 

Caractéristiques

1, représentation garantie 175 mégahertz, 50 V

2, de puissance de sortie — 300 W • Gain — DB 14 (type de DB 16)

3, efficacité — 50% • Basse résistance thermique — 0.35°C/W

4, rugosité examinée de puissance de sortie évalué

5, nitrure passivée meurent pour la fiabilité augmentée

 

Description et applications

 

Conçu pour des applications commerciales et militaires bande large aux fréquences 175 mégahertz. La représentation de puissance, gain élevé et bande large élevée de ce dispositif fait les émetteurs semi-conducteur possibles pour des bandes de fréquence d'émission de FM ou de chaîne de télévision.

 

 

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Remplacement à bande large de transistor de la Manche de MRF151G rf N pour BLF278

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