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Type transistor du transistor MOSFET RD100HHF1 spécifiquement conçu pour des applications d'amplificateurs de puissance élevée d' haute fréquence
CARACTÉRISTIQUES
• Puissance et gain élevé élevés : Pout>100W, Gp>11.5dB @Vdd=12.5V, f=30MHz
• Rendement élevé : bande 60%typ.on HAUTE FRÉQUENCE
APPLICATION
Pour l'étape de sortie des amplificateurs de puissance élevée dans réunissez HAUTE FRÉQUENCE les postes radio mobiles.
Liste d'autres composants électroniques en stock | ||||
NUMÉRO DE LA PIÈCE | MFG/BRAND | NUMÉRO DE LA PIÈCE | MFG/BRAND | |
K7N163645A-QC13 | SAMSUNG | BAT54SW | NXP | |
HCPL-817-50AE | AVAGO | 6120BP39A0240E | JOHANSON | |
GS7118TD-1P8-R | GSTEK | P89C51RA2BA | PHI | |
R1114N331B-TR-F | RICOH | HMC451LC3 | L'ADI | |
MAX1595EUA33 | MAXIME | 74VHC373SJ | FAIRCHILD | |
ISL6605CRZ-TR5168 | INTERSIL | TCR3DF18, LM | TOS | |
U10DCT-E3/4W | VISHAY | LMV921M5X | NSC | |
MMBZ5237BLT1G | SUR | EP3C120F780C8N | ALTERA | |
LQG15HS18NJ02D | MURATA | MUN2111T1 | SUR | |
K4H561638F-UCCC | SAMSUNG | LM431BIM3X | NS | |
CX8414-XS1 | CRISTAL | LM21215MH/NOPB | TI | |
UPA1727G-E1 | NEC | IRF6726MTR1PBF | IR | |
RG82855GM | INTEL | IDT74FCT574CTSO | IDT | |
MAX2644EXT+T | MAXIME | B2020W | CJ | |
EM8622L-LFB | SIGMADESI | XRD9829ACD | EXAR | |
XC9216S02XMRN | TOREX | XPC850DEZT50BT | MOTOROL | |
SZ2841T3 | SUR | MAX5451EUD-T | MAXIME | |
HCPL-3120V | AVAGO | LT1963AEQ | LT | |
OZ8138LN-C-0-TR | O2MICRO/P | HSDL-1000#001 | HP | |
HD74HC151FPEL | FRAPPEZ | CSD59973BQ5MC | TI |