Transistor de puissance de transistor MOSFET de RA30H1317M pour la radio mobile 135-175MHz 30W 12.5V

Numéro de type:RA30H1317M
Point d'origine:LE JP
Quantité d'ordre minimum:1 morceau
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:10000 morceaux par an
Délai de livraison:1-2 jours de travail
Contacter

Add to Cart

Membre du site
Shenzhen Guangdong China
Adresse: C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, Chine 518031
dernière connexion fois fournisseur: dans 48 heures
Détails du produit Profil de la société
Détails du produit

RA30H1317M Power Mosfet Transistor pour l'usage par radio mobile 135-175MHz 30W 12.5V

 

DESCRIPTION

 

Le RA30H1317M est un module d'amplificateur de transistor MOSFET de 30 watts rf pour les radios mobiles de 12,5 volts qui fonctionnent dans les 135 - la gamme 175-MHz. La batterie peut être reliée directement au drain des transistors de transistor MOSFET d'amélioration-mode. Sans tension de porte (VGG=0V), seulement d'une petite les écoulements actuels fuite dans le drain et le signal d'entrée de rf atténue le DB jusqu' 60. Le de puissance de sortie et vidanger l'augmentation actuelle comme augmentations de tension de porte. Avec une tension de porte autour des augmentations actuelles de 3.5V (minimum), de puissance de sortie et de drain sensiblement. Le de puissance de sortie nominal devient disponible 4V (typique) et 5V (maximum). VGG=5V, le courant typique de porte est de 1 mA. Ce module est conçu pour la modulation non linéaire de FM, mais peut également être employé pour la modulation linéaire en plaçant le courant tranquille de drain avec la tension de porte et en commandant le de puissance de sortie avec la puissance d'entrée.

 

CARACTÉRISTIQUES

1, transistors de transistor MOSFET d'Amélioration-mode (IDD@0 @ VDD=12.5V, VGG=0V) • Pout>30W, hT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW

2, plage de fréquence bande large : 135-175MHz

3, contrôle de basse puissance IGG=1mA actuel (type) VGG=5V

4, taille de module : 66 X.21 X 9,88 millimètres

5, opération linéaire est possible en plaçant le drain tranquille actuel avec la tension de porte et en commandant le de puissance de sortie avec la puissance d'entrée

 

 

Liste d'autres composants électroniques en stock
NUMÉRO DE LA PIÈCEMFG/BRAND NUMÉRO DE LA PIÈCEMFG/BRAND
PTIC330D1016PTE000PARATEK EM638165TS-7GETRONTEC
NC7SV125P5XFAIRCHILD DS1340-3.3DALLAS
XC18V02VQ44CXILINX AK5381ETAKM
EC4404C-TLSANYO SI4700-A15-GMRSILICIUM
LT1490IS8#PBFLT SY8008DAACSILERGY
EP20K1000EBC652-3ALTERA LQH43CN150K03LMURATA
M29W800DB-70N6St B30644-D3005-Y940-W23EPCOS
TL062ACSTM ACPM-5508-TR1AVAGO
PM8380-NIPMC W83627EHGWINBOND
ICS954226AGLFTICS STPS3L60USt
IBM39STB04500PIBM M30622MAA-F43GPMIT
EP1K100FC256-2NALTERA 74AC11257DWRTI
ADP3408ACP-2.5-RL7L'ADI 1N3005BSSI
MAX3140CEI+MAXIME CM2009-00QSCMD
ALC269QREALTEK P80C652EBAPHI
SLF7045T-100M1R8-HTDK MT6225SA/BMTK
NT5CB128M16HP-DINANYA IL1117-ADJIL-SEM
EP1K100FI484-2NALTERA FUSB302UCXFAIRCHI
S29AL004D70BFI020SPANSION 74F02SJXFAIRCHILD
MIC5200-33BMMITSUBIS W89C940FWINBOND

 

China Transistor de puissance de transistor MOSFET de RA30H1317M pour la radio mobile 135-175MHz 30W 12.5V supplier

Transistor de puissance de transistor MOSFET de RA30H1317M pour la radio mobile 135-175MHz 30W 12.5V

Inquiry Cart 0