Transistor 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 de MRFE6VP6300HR5 rf LDMOS

Numéro de type:MRFE6VP6300HR5
Point d'origine:USA
Quantité d'ordre minimum:1 morceau
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:10000 morceaux par an
Délai de livraison:1-2 jours de travail
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Transistor MOSFET LDMOS (double) 50V 100mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 de MRFE6VP6300HR5 rf

 

Ces dispositifs élevés de rugosité sont conçus pour l'usage dans haut VSWR des applications mobiles industrielles (les excitateurs y compris de laser et de plasma), d'émission (analogue et numérique), aérospatiales et par radio/terre. Ils sont des conceptions inégalées d'entrée et sortie permettant l'utilisation large de plage de fréquence, entre 1,8 et 600 mégahertz

 

Caractéristiques

• Entrée et sortie inégalée permettant l'utilisation large de plage de fréquence

• Le dispositif peut être célibataire utilisé--Fini ou dans une poussée--Configuration de traction

• Qualifié jusqu' un maximum d'opération de 50 VDD

• Caractérisé de 30 V 50 V pour la chaîne de puissance prolongée

• Approprié l'application linéaire avec polariser approprié

• Protection intégrée d'ESD

• Une plus grande porte négative--Chaîne de tension de source pour l'opération améliorée de la classe C

• Caractérisé avec l'équivalent de série grand--Paramètres d'impédance de signal

 

• RoHS conforme

• Ni--780--4 dans la bande et la bobine. Suffixe R3 = 250 unités, largeur de bande de 56 millimètres, bobine de 13 pouces. Pour des options de la bande R5 et de la bobine, voir le P. 14.

• Ni--780S--4 dans la bande et la bobine. Suffixe R3 = 250 unités, largeur de bande de 32 millimètres, bobine de 13 pouces. Pour des options de la bande R5 et de la bobine, voir le P. 14.

 

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China Transistor 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 de MRFE6VP6300HR5 rf LDMOS supplier

Transistor 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 de MRFE6VP6300HR5 rf LDMOS

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