Niveau 1 du transistor MOSFET 4435 MSL de gestion de puissance de bâti de surface de la Manche 30V 8.8A 2.5W de SI4435DY P
Numéro de type:SI4435DY
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:50 pcs
Conditions de paiement:Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement:10Kpcs
Délai de livraison:2-3 jours ouvrables
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Niveau extérieur 1 du transistor MOSFET 4435 MSL de gestion de puissance de bti du P-canal 30V 8.8A 2.5W de SI4435DY
Applications :
· Gestion de puissance
· Commutateur de charge
· Protection de batterie
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Niveau 1 du transistor MOSFET 4435 MSL de gestion de puissance de bâti de surface de la Manche 30V 8.8A 2.5W de SI4435DY P
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