Transistor planaire épitaxial de 2SC1971 C1971 TO220 NPN pour des amplificateurs de puissance de rf
Numéro de type:2sc1971
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement:consultation
Délai de livraison:2-3 jours ouvrables
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C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, Chine 518031
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Type planaire épitaxial transistor de 2SC1971 C1971 TO220 NPN conçu pour des amplificateurs de puissance de rf
Description :
type planaire épitaxial transistor du silicium NPN conçu pour des amplificateurs de puissance de rf sur des applications par radio mobiles de bande de VHF.
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| BSO130N03MS | INFINEON | MAX8535EUA+T | MAXIME | |
| MIC39500-2.5BU | MICREL | MAX5403EUB+ | MAXIME | |
| MB89P538-201PFM-G | FUJITSU | LTC2906CDDB#TRPBF | LT | |
| M74HC161B1R | STM | LFCN-7200D+ | MINI | |
| ICS290GI-13LFT | ICS | 88E8040-A0-NNC1C000-P12 | MARVELL | |
| CY7C1041B-15VXC | LA CY | 2SD1584-Z-E1-AZ | NEC | |
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| SI7629DN-T1-GE3 | VISHAY | LFB212G45CG7D227 | MURATA | |
| MPC507AP | BB | AO7801L | AOS | |
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| SN74AHC00PWR | TI | AD5725BRSZ-500RL7 | L'ADI | |
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Transistor planaire épitaxial de 2SC1971 C1971 TO220 NPN pour des amplificateurs de puissance de rf
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