N- Acheminez le transistor de puissance de transistor MOSFET 55V 110A 200W par le trou TO-220AB IRF3205PBF

Numéro de type:IRF3205PBF
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement:consultation
Délai de livraison:2-3 jours ouvrables
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Transistor MOSFET 55V 110A 200W de N-canal d'IRF3205PBF par le trou TO-220AB

Description

Transistors MOSFET avancés de puissance de HEXFET® d'international

Le redresseur utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser

extrêmement - basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage,

combiné avec la vitesse de changement rapide et robuste

conception de dispositif que les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus

pour, fournit au concepteur extrêmement un efficace et

dispositif fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.

Le paquet TO-220 est universellement préféré pour tous

applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance

approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et

le bas coût de paquet du TO-220 contribuent son large

acceptation dans toute l'industrie.

Type de FETN-canal
TechnologieTransistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez la tension de source (Vdss)55V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C110A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs8 mOhm @ 62A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs146nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds3247pF @ 25V
Caractéristique de FET-
Dissipation de puissance (maximum)200W (comité technique)
Température de fonctionnement-55°C | 175°C

 

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N- Acheminez le transistor de puissance de transistor MOSFET 55V 110A 200W par le trou TO-220AB IRF3205PBF

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