Bâti D2PAK de surface de la puce IRGS4B60KD1TRRP IRGS4B60KD1 d'IC de circuit intégré d'IGBT TNP 600V 11A 63W

Numéro de type:IRGS4B60KD1
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement:consultation
Délai de livraison:2-3 jours ouvrables
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Bti extérieur D2PAK d'IRGS4B60KD1TRRP IRGS4B60KD1 IGBT TNP 600V 11A 63W

Caractéristiques

• Bas VCE (dessus) poinçonnent non par la technologie d'IGBT.

• capacité du court-circuit 10µs.

• Place RBSOA.

• Coefficient de température positif de VCE (dessus).

• La température de jonction maximum évaluée 175°C.

Avantages

• Efficacité de référence pour le contrôle de moteur.

• Représentation passagère rocailleuse.

• Bas IEM.

• Excellent partager actuel dans l'opération parallèle

Type d'IGBTTNP
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum)600V
Actuel - collecteur (IC) (maximum)11A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées)22A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC2.5V @ 15V, 4A
Puissance - maximum63W
Énergie de changement73µJ (dessus), 47µJ ()
Type d'entréeNorme
Charge de porte12nC
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C22ns/100ns
Condition d'essai400V, 4A, 100 ohms, 15V
Temps de rétablissement inverse (trr)93ns
Température de fonctionnement-55°C | 175°C

 

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Bâti D2PAK de surface de la puce IRGS4B60KD1TRRP IRGS4B60KD1 d'IC de circuit intégré d'IGBT TNP 600V 11A 63W

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