N creusent des rigoles les composants IRFP260N de circuit intégré de transistor MOSFET par le trou TO-247AC 200V 50A 300W

Numéro de type:IRFP260N
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement:consultation
Délai de livraison:2-3 jours ouvrables
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Transistor MOSFET 200V 50A 300W de N-canal d'IRFP260N par le trou TO-247AC

Caractéristiques

Technologie transformatrice avancée

Estimation dynamique de dv/dt

température de fonctionnement 175°C

Commutation rapide ?

Entièrement avalanche évaluée ?

Facilité de la parallélisation ?

Conditions simples TO-247AC d'entraînement ?

Sans plomb

Type de FETN-canal
TechnologieTransistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez la tension de source (Vdss)200V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C50A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs40 mOhm @ 28A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs234nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds4057pF @ 25V
Caractéristique de FET-
Dissipation de puissance (maximum)300W (comité technique)
Température de fonctionnement-55°C | 175°C

 

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N creusent des rigoles les composants IRFP260N de circuit intégré de transistor MOSFET par le trou TO-247AC 200V 50A 300W

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