puce d'IC de circuit intégré de 200V 25A 144W, transistor MOSFET de la Manche d'IRFB5620PBF N par le trou TO-220AB

Numéro de type:IRFB5620PBF
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement:consultation
Délai de livraison:2-3 jours ouvrables
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Transistor MOSFET 200V 25A 144W de N-canal d'IRFB5620PBF par le trou TO-220AB

Description

Ce transistor MOSFET d'audio de Digital est spécifiquement conçu pour des applications d'amplificateur audio de classe-d. Ce transistor MOSFET utilise

les dernières techniques de traitement pour réaliser la basse sur-résistance par secteur de silicium. En outre, charge de porte, corps-diode

la récupération inverse et la résistance interne de porte sont optimisées pour améliorer la représentation principale d'amplificateur audio de classe-d

facteurs tels que l'efficacité, le THD et l'IEM. Les caractéristiques supplémentaires de ce transistor MOSFET sont la jonction 175°C de fonctionnement

la température et capacité répétitive d'avalanche. Ces caractéristiques combinent pour faire ce transistor MOSFET un très efficace,

dispositif robuste et fiable pour des applications d'amplificateur audio de ClassD

Type de FETN-canal
TechnologieTransistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez la tension de source (Vdss)200V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C25A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs72,5 mOhm @ 15A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs38nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds1710pF @ 50V
Caractéristique de FET-
Dissipation de puissance (maximum)144W (comité technique)
Température de fonctionnement-55°C | 175°C

 

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puce d'IC de circuit intégré de 200V 25A 144W, transistor MOSFET de la Manche d'IRFB5620PBF N par le trou TO-220AB

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