transistor MOSFET de la Manche de 150V 20A 100W N, bâti TO-252 AOD4454 D4454 de surface d'IC de circuit intégré

Numéro de type:AOD4454
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:100PCS
Conditions de paiement:Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement:consultation
Délai de livraison:2-3 jours ouvrables
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Bti extérieur TO-252 du transistor MOSFET 150V 20A 100W de N-canal d'AOD4454 D4454

Description générale

L'AOD4454 combine la technologie avancée de transistor MOSFET de fossé avec un bas paquet de résistance pour fournir extrêmement - le bas RDS (DESSUS). Ce dispositif est idéal pour des convertisseurs de poussée et des redresseurs synchrones pour le consommateur, les télécom, les alimentations d'énergie industrielles et le contre-jour de LED.

Type de FETN-canal
TechnologieTransistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez la tension de source (Vdss)150V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C3A (merci), 20A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs94 mOhm @ 10A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @4.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs20nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds985pF @ 75V
Caractéristique de FET-
Dissipation de puissance (maximum)2.5W, 100W
Température de fonctionnement-55°C | 175°C
Montage du typeBti extérieur

 

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transistor MOSFET de la Manche de 150V 20A 100W N, bâti TO-252 AOD4454 D4454 de surface d'IC de circuit intégré

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