Composants de circuit intégré de bâti de surface du circuit 8-SOIC de l'amplificateur 1 de TLE2061IDR J-FET
Numéro de type:TLE2061IDR
Point d'origine:La Chine
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Capacité d'approvisionnement:consultation
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C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, Chine 518031
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Détails du produit
Composants extérieurs de circuit intégré de bti du circuit 8-SOIC de l'amplificateur 1 de TLE2061IDR J-FET.
| Type d'amplificateur | J-FET |
| Nombre de circuits | 1 |
| Type de sortie | - |
| Taux de groupe | 3.4V/µs |
| Produit de largeur de bande de gain | 2MHz |
| Actuel - polarisation d'entrée | 4pA |
| Tension - compensation d'entrée | 600µV |
| Actuel - approvisionnement | 290µA |
| Actuel - sortie/Manche | 80mA |
| Tension - approvisionnement, simple/double (±) | 7V | 36V, ±3.5V | 18V |
| Température de fonctionnement | -40°C | 85°C |
| Liste d'autres composants électroniques en stock | ||||
| LPC2146FBD64 | NXP | IP3020/BG228-250U-PS | UBICOM | |
| ALC260 | REALTEK | BQ24740RHDR | TI | |
| XC6213B282GR | TOREX | SM371RF AB | SMI | |
| S3202A | SYNAPTICS | ASM708SESAF-T | ASM | |
| AT25640NC | ATMEL/ADESTO | RTS5250S-GR | REALTEK | |
| K5E2G1GACM-D060 | SAMSUNG | AO3404 | AOS | |
| IFT3000 | QUALCOMM | VT1622A | PAR L'INTERMÉDIAIRE DE | |
| PEMT1/DG | NXP | MAX4995BAVB+T | MAXIME | |
| MX27C5120C-12 | MX | ISSH2G-12A1F2C-13G | QIMONDA | |
| LC4064V-75T100C | LATTIC | TPC8021-H | TOSHIBA | |
| IDTQS5919-100Q | IDT | HA5023IB | HARRIS | |
| EP1C12F324C8N | ALTERA | FSEZ1216BNY | FAIRCHILD | |
| DS2740BU+ | MAXIME | ADM809MAKS-REEL7 | L'ADI | |
| ADM809LART-REEL7 | L'ADI | TK100E06N1, S1X (S | TOSHIBA | |
| MAX6369KA+T | MAXIME | JMB362-QGEZ0C | JMICRON | |
| CRZ133 (TE85L, Q, M | TOSHIBA | 2SD1220-Y | TOSHIBA | |
| HGTP20N60A4 | FAIRCHILD | Téléphone 2-1222 | TRACOPOWER | |
| DAC321 | TI | TDN 3-1215WI | TRACOPOWER | |
| D6453GT | NEC | HSD2150 | AGILENT | |
| 2SA1962-O | Na | BA16852 | BIFORST | |
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