Transistor MOSFET 250V 8.8A (comité technique) 38W (comité technique) de N-canal de FQPF9N25C 9N25C par le trou TO-220F
Numéro de type:FQPF9N25C
Point d'origine:La Chine
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Transistor MOSFET 250V 8.8A (comité technique) 38W (comité technique) de N-canal de FQPF9N25C 9N25C par le trou TO-220F
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez la tension de source (Vdss) | 250V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 8.8A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 430mOhm @ 4.4A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Vgs (maximum) | ±30V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 710pF @ 25V |
| Caractéristique de FET | - |
| Dissipation de puissance (maximum) | 38W (comité technique) |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C |
| Liste d'autres composants électroniques en stock | ||||
| CUS10S30, H3F | TOSHIBA | CY2544C012 | LA CY | |
| BA6907F | ROHM | CP1117-1.8V-BR | GCERAMATE | |
| SEMS23 | SAMSUNG | BZX84-C4V7 | PHI | |
| PI3EQX6701CZDEX | PERICOM | AP603-F | TRIQUIN | |
| MAX8531ETTGG-T | MAXIME | ADM3486EARZ | L'ADI | |
| MAX489ECSD+ | MAXIME | LM224D | SUR | |
| ICS525-01RLFT | IDT | HSL226-NKRF-E | RENESAS | |
| M50FW040K5TG | St | MAX6164AESA+ | MAXIME | |
| 40ST1041D | Livre | H8KCSOQJOMBP-56M | HYMIX | |
| GP1S296HCPSF | DIÈSE | TPS71525DCKR | TI | |
| FDS8878 | FAIRCHILD | TMP8155P | TOSHIBA | |
| SSI34R3435-CV | TI | MLF2012A2R7JT000 | TDK | |
| MT29C4G96MAZAPCJA-5IT JW498 | MICRON | LP3999ITL-3.3 | NSC | |
| MB89935BPFV-GS-251-BND | FUJITSU | XC4VLX80-10FF1148C | XILINX | |
| LM2931AZ-5.0 | NSC | RC28F256P33TFA | INTEL | |
| HLMP-2885 | AVAGO | MPGC01DN-LF-Z | MP | |
| FAN5308MPX | FAIRCHLD | ICL7107CPL | HAR | |
| SN74LS30 | TI | AO4468 | ALPHA | |
| LE89116QVCT | LEGERIT | TRF96200GQER | TI | |
| 88SE6445-TFJ2 | MARVELL | TPS2053ADR | TI | |
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