Du transistor MOSFET FDS8984 de la rangée IC du composant électrique 2 N double 30V 7A 1.6W bâti 8 de surface de la Manche - SOIC

Numéro de type:FDS8984
Point d'origine:La Chine
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Capacité d'approvisionnement:consultation
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Bti 8-SOIC de surface du N-canal de la rangée 2 du transistor MOSFET FDS8984 (double) 30V 7A 1.6W

Type de FETN-canal 2 (double)
Caractéristique de FETPorte de niveau de logique
Vidangez la tension de source (Vdss)30V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C7A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs23mOhm @ 7A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @2.5V @ 250µA
Déclenchez la charge (Qg) (maximum) @ Vgs13nC @ 10V
Entrez la capacité (Ciss) (maximum) @ Vds635pF @ 15V
Puissance - maximum1.6W
Température de fonctionnement-55°C | 150°C

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Du transistor MOSFET FDS8984 de la rangée IC du composant électrique 2 N double 30V 7A 1.6W bâti 8 de surface de la Manche - SOIC

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