Transistor MOSFET extérieur FDMC510P 20V 2.3W 41W 8 de puissance de la Manche du bâti P - MLP RoHS conforme

Numéro de type:FDMC510P
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement:consultation
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Bti 8-MLP de surface du transistor MOSFET 2.3W 41W de PUISSANCE du P-canal 20V de FDMC510P

Description générale

Ce transistor MOSFET de P-canal est produit utilisant le processus avancé de Trench® de la puissance du semi-conducteur de Fairchild qui a été optimisé pour le RDS (DESSUS), la représentation et la rugosité de changement.

Type de FETP-canal
TechnologieTransistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez la tension de source (Vdss)20V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C12A (merci), 18A (comité technique)
Conduisez la tension (le RDS maximum dessus, la minute le RDS dessus)1.5V, 4.5V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs8 mOhm @ 12A, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @1V @ 250µA
Déclenchez la charge (Qg) (maximum) @ Vgs116nC @ 4.5V
Vgs (maximum)±8V
Capacité (Ciss) (maximum) @ Vds d'entrée7860pF @ 10V
Caractéristique de FET-
Dissipation de puissance (maximum)2.3W (merci), 41W (comité technique)
Température de fonctionnement-55°C | 150°C (TJ)
Type de supportBti extérieur

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China Transistor MOSFET extérieur FDMC510P 20V 2.3W 41W 8 de puissance de la Manche du bâti P - MLP RoHS conforme supplier

Transistor MOSFET extérieur FDMC510P 20V 2.3W 41W 8 de puissance de la Manche du bâti P - MLP RoHS conforme

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