45 norme du CEI du transistor RA45H8994M1-101 d'ampère de puissance d'étape du watt 12.8V 2

RA45H8994M1-101 896-941MHz 45W 12.8V, 2 présentent le transistor de l'ampère rf pour la RADIO MOBILE

DESCRIPTION

Le RA45H8994M1 est un module d'amplificateur de transistor MOSFET de 45 watts rf pour les radios mobiles de 12,8 volts qui fonctionnent dans les 896 - la gamme 941-MHz. La batterie peut être reliée directement au drain des transistors de transistor MOSFET d'amélioration-mode. Sans tension 1 de porte et tension 2 (VGG1=VGG2=0V) de porte, seulement un petit courant de fuite coule dans le drain et le signal de sortie nominal (Pout=45W) atténue le DB jusqu' 60. Quand c.--d. 3.4V fixe, est fourni la tension 1 de porte, l'augmentation actuelle de puissance de sortie et de drain mesure que la tension 2 de porte augmente. L'augmentation actuelle de puissance de sortie et de drain sensiblement avec la tension 2 de porte autour de 0V (minimum) dans la condition quand la tension 1 de porte est maintenue dans 3.4V. Le de puissance de sortie nominal devient disponible au déclarer que VGG2 est 4V (typique) et 5V (maximum). En ce moment, VGG1 doit être maintenu dans 3.4V. VGG1=3.4V et VGG2=5V, les courants typiques de porte sont 0.4mA. Ce module est conçu pour la modulation non linéaire de FM, mais peut également être employé pour la modulation linéaire en plaçant le courant tranquille de drain avec les tensions de porte et en commandant le de puissance de sortie avec la puissance d'entrée.

CARACTÉRISTIQUES

1, transistors de transistor MOSFET d'Amélioration-mode (IDD≅0 @ VDD=12.8V, VGG1=VGG2=0V)

2, Pout>45W, ηT>33% @VDD=12.8V, VGG1=3.4V, VGG2=5V, Pin=50mW

3, plage de fréquence bande large : 896-941MHz • Structure de chapeau en métal qui apporte les améliorations du rayonnement de rf simples

4, contrôle de basse puissance IGG1+IGG2=0.4mA actuel (type) @ VGG1=3.4V, VGG2=5V • Taille de module : 67 x 18 x 9,9 millimètres

5, opération linéaire est possible en plaçant le drain tranquille actuel avec les tensions de porte et en commandant le de puissance de sortie avec la puissance d'entrée.

L'électronique de Koben a été fondée en 1995 et est située dans Silicon Valley de la Chine, Shenzhen. 

La mission de Koben a toujours été de fournir des composants de l'électronique de qualité aux fabricants dans le monde entier. Dès l'abord nous sommes devenus un conduit primaire pour le fin-de-programme et encombrons l'inventaire pour les distributeurs importants tels que de futurs fabricants de l'électronique et de contrat comme Flextronics. Koben a depuis lors ajouté l'approvisionnement des composants de haute qualité des fabricants locaux en Chine.

Koben a toujours été client conduit plutôt que l'occasion conduite. Signifiant nous choisirons toujours le chemin qui est le meilleur pour des relations long terme avec le client au-dessus de la vue court terme. Il est pourquoi nous avons un de la conservation de client la plus élevée scores de distributeurs basés par Chine.