Transistor de puissance de transistor MOSFET de rendement élevé 28.5dB 108MHz BLF174XR rf

Numéro de type:BLF174XR
Point d'origine:USA
Quantité d'ordre minimum:1 morceau
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:10000 morceaux par an
Délai de livraison:1-2 jours de travail
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Transistor MOSFET LDMOS (double), source commune 50V 100mA 108MHz 28.5dB 600W SOT1214A de BLF174XR rf


600 transistor de puissance extrêmement rocailleux de W LDMOS pour l'émission et les applications industrielles dans l' haute fréquence la bande de 128 mégahertz


Caractéristique


1, contrôle de puissance facile

2, protection intégrée d'ESD

3, excellente rugosité

4, rendement élevé

5, excellente stabilité thermique

6, conçu pour le  bande large de l'opération ( haute fréquence 128 mégahertz) conforme la directive 2002/95/EC, concernant la restriction des substances dangereuses (RoHS)


Application


Applications industrielles, scientifiques et médicales

Applications d'émetteur d'émission


Type de transistorLDMOS (double), source commune
Fréquence108MHz
Gain28.5dB
Tension - essai50V
Estimation actuelle-
Chiffre de bruit-
Actuel - essai100mA
Puissance de sortie600W
Tension - évaluée110V
Paquet/casSOT-1214A
Paquet de dispositif de fournisseurSOT1214A

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Transistor de puissance de transistor MOSFET de rendement élevé 28.5dB 108MHz BLF174XR rf

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