paquet de l'AFFAIRE 211-11 de rendement élevé du transistor 28V de puissance élevée de 80W MRF173

Numéro de type:MRF173
Point d'origine:USA
Quantité d'ordre minimum:1 morceau
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:10000 morceaux par an
Délai de livraison:1-2 jours de travail
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Transistor de puissance des transistors MOSFET rf de mode d'amélioration du N-canal MRF173


Conçu pour des applications commerciales et militaires bande large jusqu' 200 mégahertz de plage de fréquence. La représentation de haute puissance, gain élevé et bande large de ces dispositifs font les émetteurs semi-conducteur possibles pour FM annoncer ou des bandes de fréquence de chaîne de télévision.


1, représentation garantie 150 mégahertz, 28 V : De = gain de puissance de sortie 80 W = efficacité du DB 11 (type de DB 13) = 55% mn (type de 60%)

2, basse résistance thermique • Rugosité examinée de puissance de sortie évalué

3, nitrure ont passivé meurent pour la fiabilité augmentée

4, figure faible bruit — type du DB 1,5 2,0 A, 150 mégahertz

5, excellente stabilité thermique ; Adapté la classe une opération


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paquet de l'AFFAIRE 211-11 de rendement élevé du transistor 28V de puissance élevée de 80W MRF173

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