Type transistor 45W 12.5V RA45H4045MR-101 d'amélioration de la Manche du transistor MOSFET N

Numéro de type:RA45H4045MR-101
Point d'origine:LE JP
Quantité d'ordre minimum:1 morceau
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Capacité d'approvisionnement:10000 morceaux par an
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R45H4045MR-101 400-450MHz 45W 12.5V, 3 présentent l'ampère. Pour la RADIO MOBILE


DESCRIPTION

Le RA45H4045MR est un module d'amplificateur de transistor MOSFET de 45 watts rf pour les radios mobiles de 12,5 volts qui fonctionnent dans les 400 - la gamme 450-MHz. La batterie peut être reliée directement au drain des transistors de transistor MOSFET d'amélioration-mode. Sans tension de porte (VGG=0V), seulement un petit courant de fuite coule dans le drain et le signal d'entrée de rf atténue le DB jusqu' 60. L'augmentation actuelle de puissance de sortie et de drain mesure que la tension de porte augmente. Avec une tension de porte autour des augmentations actuelles de 4V (minimum), de puissance de sortie et de drain sensiblement. Le de puissance de sortie nominal devient disponible 4.5V (typique) et 5V (maximum). VGG=5V, le courant typique de porte est de 1 mA. Ce module est conçu pour la modulation non linéaire de FM, mais peut également être employé pour la modulation linéaire en plaçant le courant tranquille de drain avec la tension de porte et en commandant le de puissance de sortie avec la puissance d'entrée.


CARACTÉRISTIQUES

1, transistors de transistor MOSFET d'Amélioration-mode (IDD≅0 @ VDD=12.5V, VGG=0V) • Pout>45W, ηT>35% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW

2, plage de fréquence bande large : 400-450MHz • Contrôle de basse puissance IGG=1mA actuel (type) VGG=5V

3, taille de module : 66 X.21 X 9,88 millimètres

4, type inverse de PIN • L'opération linéaire est possible en plaçant le drain tranquille actuel avec la tension de porte et en commandant le de puissance de sortie avec la puissance d'entrée


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China Type transistor 45W 12.5V RA45H4045MR-101 d'amélioration de la Manche du transistor MOSFET N supplier

Type transistor 45W 12.5V RA45H4045MR-101 d'amélioration de la Manche du transistor MOSFET N

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