Partie latérale de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance du transistor MOSFET MRF6V2150NBR1 N

Transistors MOSFET de partie latérale d'Amélioration-mode de N-canal de transistors de puissance de MRF6V2150NBR1 rf

Caractéristiques
• Caractérisé avec grand équivalent de série--Paramètres d'impédance de signal
• Qualifié jusqu' un maximum d'opération de 50 VDD
• Protection intégrée d'ESD
• paquet 225°C en plastique capable
• RoHS conforme
• Dans la bande et la bobine. Suffixe R1 = 500 unités par 44 millimètres, bobine de 13 pouces.

Conçu principalement pour l'onde entretenue grande--applications de sortie et de conducteur de signal avec
fréquences jusqu' 450 mégahertz. Les dispositifs sont inégalés et conviennent pour l'usage dedans
applications industrielles, médicales et scientifiques.

L'électronique de Koben a été fondée en 1995 et est située dans Silicon Valley de la Chine, Shenzhen. 

La mission de Koben a toujours été de fournir des composants de l'électronique de qualité aux fabricants dans le monde entier. Dès l'abord nous sommes devenus un conduit primaire pour le fin-de-programme et encombrons l'inventaire pour les distributeurs importants tels que de futurs fabricants de l'électronique et de contrat comme Flextronics. Koben a depuis lors ajouté l'approvisionnement des composants de haute qualité des fabricants locaux en Chine.

Koben a toujours été client conduit plutôt que l'occasion conduite. Signifiant nous choisirons toujours le chemin qui est le meilleur pour des relations long terme avec le client au-dessus de la vue court terme. Il est pourquoi nous avons un de la conservation de client la plus élevée scores de distributeurs basés par Chine.