Transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche d'IRFP4227 N à -247AC IRFP4227PBF
Numéro de type:IRFP4227PBF
Point d'origine:CN
Quantité d'ordre minimum:30 morceaux
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:10Kpcs par an
Délai de livraison:1-2 jours de travail
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Détails du produit
TRANSISTOR DE MOSFET DE CANAL D'IRFP4227 200V 65A N TO-247AC
IRFP4227PBF
Caractéristiques
Technologie de processus avancée
Paramètres clés optimisés pour les applications PDP Sustain, Energy Recovery et Pass Switch
Faible indice EPULSE pour réduire la dissipation de puissance dans PDP Sustain, Energy Recovery et Pass Switch
Applications
QG faible pour une réponse rapide
Haute capacité de courant de pointe répétitive pour un fonctionnement fiable
Temps de chute et de montée courts pour une commutation rapide une température de jonction de fonctionnement de 175 ° C pour une robustesse améliorée
Capacité d'avalanche répétitive pour la robustesse et la fiabilité
Caractéristiques
Technologie de processus avancée
Paramètres clés optimisés pour les applications PDP Sustain, Energy Recovery et Pass Switch
Faible indice EPULSE pour réduire la dissipation de puissance dans PDP Sustain, Energy Recovery et Pass Switch
Applications
QG faible pour une réponse rapide
Haute capacité de courant de pointe répétitive pour un fonctionnement fiable
Temps de chute et de montée courts pour une commutation rapide une température de jonction de fonctionnement de 175 ° C pour une robustesse améliorée
Capacité d'avalanche répétitive pour la robustesse et la fiabilité
| Fabricant | Infineon Technologies | |
|---|---|---|
| Séries | HEXFET® | |
| Emballage | Tube | |
| État de la pièce | actif | |
| FET Type | N-Channel | |
| La technologie | MOSFET (oxyde de métal) | |
| Drain la tension de source (Vdss) | 200V | |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) | |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V | |
| Vgs (Max) | ± 30V | |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 25V | |
| FET Caractéristique | - | |
| Dissipation de puissance (Max) | 330 W (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 46A, 10 V | |
| Température de fonctionnement | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | |
| Type de montage | travers le trou | |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247AC | |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Liste des autres composants électroniques en stock | ||||
| NUMÉRO D'ARTICLE | MFG / MARQUE | NUMÉRO D'ARTICLE | MFG / MARQUE | |
| AP4800CGM | APEC | NT68F63L | NT | |
| ADT75ARMZ-REEL7 | ADI | LPC47B373 | SMSC | |
| UPD720101GJ-UEN-A | NEC | ECHU1C471JX5 | PANASONIC | |
| TLV3501AIDBVT | TI | BQ21040DBVR | TI | |
| ZXSC400E6TA | ZETEX | BB148 | ||
| MAX758ACPA | MAXIME | TL3472QDRQ1 | TI | |
| IMP803LG / T | LUTIN | KB3926QFA1 | ENE | |
| HCPL-0601-060E | AVAGO | IDT72261LA20PF | IDT | |
| CS1615-FSZ | CIRRUSLOGIQUE | CL703S1T | CORE LOGIC | |
| DRV604PWPR | TI | 293D476X9020D2T | VISHAY | |
| VT6212LG | VIA | TB62747AFNAG | TOSHIBA | |
| CS5330A-KS | CIRRUS | STP1612PW05MTR | ST | |
| TDA18253HN | LF353P | TI | ||
| MCR706AT4 | SUR | LBEH5DU1BW-777 | MURATA | |
| BAT54S | ONSEMI | Q2015LT | LITTLEFUSE | |
| MIC2005-0.8LYM5 | MICREL | HM628512LFP-5 | FRAPPÉ | |
| CY7C1354B-200BGC | CYPRÈS | G546B1P81U | GMT | |
| SI7450DP-T1 | VISHAY | 1N4148W | DIODES | |
| M62320FP # CF5J | RENESAS / P | VT1612A | VIA | |
| K9260M | EPCOS | SCT2026CSSG | SCT | |
Transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche d'IRFP4227 N à -247AC IRFP4227PBF
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