3BHE006412R0101 | ANNÉE WARRANTY*3BHE006412R01013BHE006412R0101 DE LA CARTE 3BHE006412R0101*ONE D'ABB

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Informations générales

ABB 3BHE006412R0101

IGBT (InsulatedGateBipolarTransistor), transistor bipolaire isolé de porte, est un composé entièrement commandé

dispositif de semi-conducteur motivé par la tension de puissance composé de BJT (transistor bipolaire) et de MOS (transistor effet de champ isolé de porte),

et a l'entrée élevée du transistor MOSFET l'impédance et la basse chute de tension d'ouverture du GTR. La tension de saturation GTR

est réduit, la densité de transport actuelle est grande, mais le courant d'entraînement est grand ; la puissance d'entraînement de transistor MOSFET est petite, t

il vitesse de changement est rapide, mais la chute de tension de conduction est grande, et la densité de transport actuelle est petite.

Pour votre référence

Quantité d'ordre minimum : 1 morceau

Type de paiement : Paiement 100% l'avance

Garantie : un an

Associés de messager : DHL, UPS, TNT, Fedex et SME

Délai d'exécution : 2 ou 3 jours ouvrables

Spécification technique, manuels et fiches techniques : Disponible sur demande

Pour obtenir notre meilleur prix et citation rapide, les pls nous envoient l'email maintenant.

Nouvelles d'automation

En même temps, l'attraction de l'industrie a été considérablement augmentée, et plus d'entreprises vont le faire

associez-vous la concurrence d'industrie. On le prévoit que la valeur de sortie totale de l'automation industrielle en Chine

dépassera 570 milliards de yuans en 2022.

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Au sujet de nous

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Nous avons un grand inventaire des pièces de haute qualité et en surplus de système de contrôle. Nous distribuons également beaucoup le nouveau matériel

et logiciels pour aider soutenir vos systèmes de contrôle existants ou pour utiliser la dernière technologie de contrôle.

Nous avons éprouvé le personnel, moyens de tests étendus et nous pouvons fournir la garantie d'une année pour toutes nos pièces en surplus.

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