Boîte de contrôle de signal de tour CP de l'ASM 02-43059

Tour CP Signal Control Box de l'ASM 02-43059

Détails de produit

sortie du côté bas de conducteur de porte. Reliez cette goupille la porte du transistor MOSFET du côté bas de N-canal. Quand VIN

la polarisation est enlevée, une résistance interne de 200 kΩ tire LDRV PGND.

Au sol de puissance d'IC. Reliez cette goupille la source du transistor MOSFET du côté bas. PGND devrait être

relié AGND par l'intermédiaire d'un unique sur la carte PCB.

Sortie d'un LDO et d'une alimentation d'énergie internes pour les circuits de commande internes et les conducteurs de porte. VCC est typiquement

7,5 V pour le TPS43060 et 5,5 V pour le TPS43061. Reliez un condensateur bas-esr en céramique de cette goupille

PGND. Le TI recommande une gamme de capacité de 0,47 au µF 10.

Noeud de condensateur d'amorce pour le conducteur du côté haut de porte de transistor MOSFET. Reliez le condensateur d'amorce de cette goupille

la goupille de commutateur.

Noeud de changement du convertisseur de poussée. Reliez cette goupille la jonction du drain du transistor MOSFET du côté bas,

la source du transistor MOSFET synchrone du côté haut, et l'inducteur.

sortie du côté haut de conducteur de porte. Reliez cette goupille la porte du transistor MOSFET synchrone du côté haut de redresseur.

Quand la polarisation de VIN est enlevée, cette goupille est reliée au commutateur par une résistance interne de 200 kΩ.

Bon indicateur de puissance. Cette goupille est un résultat d'ouvert-drain. Le TI recommande une résistance cabreuse de 10 kΩ entre

PGOOD et VCC ou une goupille externe d'approvisionnement de logique.

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