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Original IRLML6402TRPBF de Mosfet canal P / Integrated Circuit IC
P-Channel
Description :
Utiliser ces MOSFET canal P de International Rectifier
traitement avancé des techniques pour atteindre onresistance
extrêmement faible
par surface de silicium. Cet avantage, combiné avec le jeûne
commutation vitesse et appareil robuste de conception qui
MOSFET de puissance sont bien connus pour, assure le concepteur
avec
un dispositif très efficace et fiable pour une utilisation dans les
piles et
charge de gestion.
Une grille de connexion améliorées thermiquement grande électrode a
été incorporé
dans le paquet standard de SOT-23 pour produire une puissance
MOSFET avec la plus petite empreinte de l’industrie. Ce paquet,
, est idéal pour les applications où imprimé
circuit imprimé espace est une prime. Le profil bas (< 1,1 mm)
de la lui permet de s’intégrer facilement dans application
extrêmement mince
environnements tels que les appareils électroniques portatifs et
les cartes PCMCIA.
La résistance thermique et la dissipation de puissance sont les
meilleurs
disponible.
Caractéristique :
Ultra faible résistance
P-Channel MOSFET
Empreinte de SOT-23
Profil bas (< 1,1 mm)
Disponible en bande et bobine
Commutation rapide
Paramètre | Max. | Unités de | |
ID @ TC = 25° C | Courant de Drain continu, VGS @ 10V | 50 | A |
ID @ TC = 100° C | Courant de Drain continu, VGS @ 10V | 35 | |
IDM | Courant Drain pulsé | 200 | |
PD @TC = 25° C | Dissipation de puissance | 300 | W |
Facteur de réduction linéaire | 2.0 | W / ° C | |
VGS | Porte--Source de tension | ±20 | V |
EAS | Énergie d’Avalanche impulsionnel | 560 | mJ |
IAR | Courant d’avalanche | 50 | A |
OREILLE | Énergie d’Avalanche répétitives | 30 | mJ |
DV/dt | Récupération de Diode Peak dv/dt | 10 | V/ns |
TJ TSTG | Fonctionnement de jonction et de température de stockage | -55 + 175 | ° C |
Température de soudage, pendant 10 secondes | 300 (1,6 mm du cas) | ||
Montage 6-32, du couple ou vis M3 | 10 lbf•po (1.1N•m) |