Transistors MOSFET ultra-rapides et IGBTs de For Power de conducteur de transistor MOSFET de NCS20074DTBR2G doubles

Number modèle:NCS20074DTBR2G
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Capacité d'approvisionnement:1000PCS
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NCS20074DTBR2G - Pilote MOSFET double haute vitesse pour MOSFET de puissance et IGBT


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Introduction:

Le NCS20074DTBR2G est un pilote MOSFET double haute vitesse conçu pour piloter deux MOSFET ou IGBT canal N dans une configuration en demi-pont.Son temps de montée et de descente rapide (15 ns typique) et sa large plage de tension d'entrée (4,5 V 18 V) le rendent idéal pour les applications de commutation haute fréquence.


Applications:

Convertisseurs DC-DC, Motor Drives, Power Inverters


Attributs du produit :

Attributs du produitCaractéristiques
MarqueSUR Semi-conducteur
Plage de tension d'alimentation4.5V 18V
Courant de sortie4A crête
Temps de montée/descente15ns typique
Type d'emballagePOSST-8
Température de fonctionnement-40°C 125°C

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FAQ:

Q1 : Quelle est la tension maximale que le NCS20074DTBR2G peut supporter ?

R : Le NCS20074DTBR2G a une tension d'entrée maximale de 18 V.


Q2 : Quel est le courant de sortie du NCS20074DTBR2G ?

R : Le NCS20074DTBR2G peut fournir un courant de sortie de crête de 4 A.


Q3 : Quel est le type de boîtier du NCS20074DTBR2G ?

R : Le NCS20074DTBR2G est livré dans un package TSSOP-8.


Q4 : Quelles sont les applications courantes du NCS20074DTBR2G ?

R : Le NCS20074DTBR2G est couramment utilisé dans les convertisseurs CC-CC, les entraînements de moteur et les onduleurs.


Q5 : Quelle est la plage de température de fonctionnement du NCS20074DTBR2G ?

R : Le NCS20074DTBR2G peut fonctionner des températures allant de -40 °C 125 °C.

China Transistors MOSFET ultra-rapides et IGBTs de For Power de conducteur de transistor MOSFET de NCS20074DTBR2G doubles supplier

Transistors MOSFET ultra-rapides et IGBTs de For Power de conducteur de transistor MOSFET de NCS20074DTBR2G doubles

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