C.C à haute tension simple SIHB22N60E-E3 ROHS de transistor de puissance de transistor MOSFET

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Number modèle:SIHB22N60E-E3

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TRANSISTOR de PUISSANCE SIMPLE HAUTE TENSION de transistor MOSFET SIHB22N60E - PAQUET D2PAK d'E3 600V 21A

Type de FET :	N-canal	Température de fonctionnement :	-55°C \| 150°C (TJ)
Paquet :	TO263-3 D2PAK
Lumière élevée :	transistor de transistor MOSFET de canal de n , transistor de canal de n

Type de FET :

N-canal

Température de fonctionnement :

-55°C | 150°C (TJ)

Paquet :

TO263-3 D2PAK

Lumière élevée :

transistor de transistor MOSFET de canal de n

Transistor de puissance simple haute tension de transistor MOSFET SIHB22N60E - paquet D2PAK d'E3 600V 21A

Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Emballage	Tube
Statut de partie	Actif
Type de FET	N-canal
Technologie	Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez la tension de source (Vdss)	600V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C	21A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs (maximum)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds	1920pF @ 100V
Caractéristique de FET	-
Dissipation de puissance (maximum)	227W (comité technique)
Température de fonctionnement	-55°C \| 150°C (TJ)
Montage du type	Bti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur	D2PAK
Paquet/cas	TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-263AB

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