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China Série intégrée de FET de fossé de la puce SUD50P06-15L-E3 de transistor de puissance de transistor MOSFET supplier

Série intégrée de FET de fossé de la puce SUD50P06-15L-E3 de transistor de puissance de transistor MOSFET

Série intégrée de FET de fossé de la puce SUD50P06-15L-E3 de transistor de puissance de transistor MOSFET

Number modèle:SUD50P06-15L-E3
Point d'origine:Fabricant original
Quantité d'ordre minimum:Quantité d'ordre minimum : 10 PCS
Conditions de paiement:T/T à l'avance, Western Union, Xtransfer
Capacité d'approvisionnement:1000
Délai de livraison:Dans 3days
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Shenzhen Huahao Gaosheng Technology Co., Ltd
Membre actif
Shenzhen China
Adresse: 2A2003, bâtiment 2, jardin de Baohuju, avenue de 200 Huaqing, la Communauté de Qinghu, rue de Longhua, secteur de Longhua, Shenzhen
dernière connexion fois fournisseur: dans 1 heures
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Détails du produit

LE CIRCUIT INTÉGRÉ IC DE P-CH ÉBRÈCHENT LA SÉRIE DE FET DE FOSSÉ DE SUD50P06-15L-E3 TO252

 

Les marchandises conditionnent :Tout neufStatut de partie :Actif
Sans plomb/Rohs :PlainteFonction :Transistor MOSFET
Montage du type :Bti extérieurPaquet :TO-252
Lumière élevée :

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor de canal de n

 

 

Série du transistor MOSFET P-CH 60V 50A TO252 TrenchFET de puce d'IC du circuit intégré SUD50P06-15L-E3

P-canal 60 V (D-S), transistor MOSFET de 175 °C

CARACTÉRISTIQUES
1, transistor MOSFET de puissance de TrenchFET®
2, la température de jonction de 175 °C
3, conforme RoHS 2002/95/EC directif

FabricantVishay Siliconix 
SérieTrenchFET® 
EmballageBande et bobine (TR) 
Statut de partieActif 
Type de FETP-canal 
TechnologieTransistor MOSFET (oxyde de métal) 
Vidangez la tension de source (Vdss)60V 
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C50A (comité technique) 
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V 
Identification de Vgs (Th) (maximum) @3V @ 250µA 
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs165nC @ 10V 
Vgs (maximum)±20V 
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds4950pF @ 25V 
Caractéristique de FET- 
Dissipation de puissance (maximum)3W (merci), 136W (comité technique) 
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs15 mOhm @ 17A, 10V 
Température de fonctionnement-55°C | 175°C (TJ) 
Montage du typeBti extérieur 
Paquet de dispositif de fournisseurTO-252, (D-PAK) 
Paquet/casTO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63

 

Liste d'autres composants électroniques en stock
NUMÉRO DE LA PIÈCEMFG/BRAND　NUMÉRO DE LA PIÈCEMFG/BRAND
9LPRS133BKLFTIDT　ISL62882HRTZ-TINTERSIL
1ZB18TOSHIBA　S1D13513B00B200EPSON
W2F15C1038AT1AAVX　MABACT0071MA/COM
UP7719ASU8MICRO　CRG05 (TE85L, Q)TOSHIBA
MSN3010-472COILCRAFT　PCI2050IPDVTI
HA2-5033/883HARRIS　MP4013TOSHIBA
SLQ2592UDMHGT　LT1017CS8LINÉAIRE
PACDN010QSCMD　FBMH2012HM121-TTAIYO
APL431AAC-TRGANPEC　MSP3415G-B8-V3MICRONAS
ADM4850ARZL'ADI　LTC5505-2ES5#TRPBFLT
23Z104SMNLTIMPULSION　LPR550ALTRSt
TMX320DM8148CCYE2TI　TLE4269GLSIEMENS
TJA1050PHLIPH　PS8710BTQFN24GTR2-A1DÉFILÉ
LM2674MX-ADJNSC　CXD3117ARSONY
BCM56340AOKFSBGBRADCOM　ADS1000A0QDBVRQ1TI
TPS79901DRVTTI　TC74VHC273FTTOSHIBA
TC358723XBGTOSHIBA　MCM20027IBBLMOTOROLA
STI5202DUDSt　SC2677TSTRSEMTECH
ST16C552CJEXAR　RT9181CBRICHTEK
VIPER53-DIP-ESt　DS2482S-100+T$RMAXIME
China Série intégrée de FET de fossé de la puce SUD50P06-15L-E3 de transistor de puissance de transistor MOSFET supplier

Série intégrée de FET de fossé de la puce SUD50P06-15L-E3 de transistor de puissance de transistor MOSFET

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