Bas Vcesat complément PBSS4160T du transistor de puissance de transistor MOSFET de NPN PNP

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Bas Vcesat complément PBSS4160T du transistor de puissance de transistor MOSFET de NPN PNP

Number modèle:PBSS4160T, 215

Point d'origine:Fabricant original

Quantité d'ordre minimum:Quantité d'ordre minimum : 10 PCS

Conditions de paiement:T/T à l'avance, Western Union, Xtransfer

Capacité d'approvisionnement:1000

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Technologie Cie., Ltd de Shenzhen Huahao Gaosheng

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BAS VCESAT COMPLÉMENT PBSS4160T DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE TRANSISTOR MOSFET DE NPN PNP

Les marchandises conditionnent :	Tout neuf	Statut de partie :	Actif
Sans plomb/Rohs :	Plainte	Fonction :	NPN
Montage du type :	Bti extérieur	Paquet :	SOT23
Lumière élevée :	transistor de transistor MOSFET de canal de n , transistor de canal de n

Bas VCEsat transistor de PBSS4160T NPN dans SOT23 un complément en plastique du paquet PNP PBSS5160T

CARACTÉRISTIQUES
• Basse tension de saturation de collecteur-émetteur VCEsat
• Capacité élevée IC et missile aux performances améliorées de courant de collecteur
• Le rendement élevé, réduit la génération de chaleur
• Réduit le secteur de panneau de circuit imprimé requis
• Remplacement rentable pour le transistor BCP55 et BCX55 de puissance moyenne.

APPLICATIONS
• Segments importants d'application :
– Puissance des véhicules moteur de 42 V
– Infrastructure de télécom
– Industriel.
• Gestion de puissance :
– Conversion C.C--C.C
– Canalisation d'alimentation commutation.
• Conducteur périphérique
– Conducteur dans de basses applications de tension d'alimentation (par exemple lampes et LED)
– Conducteur de charge inductive (par exemple relais, sonneries et moteurs).

Fabricant	Nexperia USA Inc.
Série	-
Emballage	Bande et bobine (TR)
Statut de partie	Actif
Type de transistor	NPN
Actuel - collecteur (IC) (maximum)	1A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum)	60V
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC	250mV @ 100mA, 1A
Actuel - coupure de collecteur (maximum)	100nA
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce	200 @ 500mA, 5V
Puissance - maximum	400mW
Fréquence - transition	220MHz
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Montage du type	Bti extérieur
Paquet/cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquet de dispositif de fournisseur	TO-236AB (SOT23)
Numéro de la pièce bas	PBSS4160

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NUMÉRO DE LA PIÈCE	MFG/BRAND	NUMÉRO DE LA PIÈCE	MFG/BRAND
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PW328-30L	PIXELWO	TPS25200DRVR	TI
PCA9543AD		NQ84010TNB QL85ES	INTEL
MT18KDF1G72AZ-1G6P1	MICRON	YZ98223R02	TDK
LT1110CS8	LT	VLP8040T-680M	TDK
LSI53C1030CO	LSILOGIC	SPHE8202R	SUNPLUS
PKM2510EPIHSLA	ERICSSON	IRLU024NPBF	IR
WJLXT384E	CORTINA	ICS307M-02ILFT	ICS
ST4G3235BJR	STM	BD13716S	FAIRCHILD
LP3964EMPX-ADJ/NOPB	TI	BCX55-16E6327	INFINEON
ADG451BR	L'ADI	TLE42994E	INFINEON
NTUD3169CZT5G	SUR	NJM2283M (TE2)	LE CCR
TG83-1505NUTR	HALO	BSS138N E6327	INFINEON
RC2010JK-07820RL	YAGEO	AD5314ARMZ-REEL7	L'ADI
CD4572BE	TI	1632-32.76MHZ	NDK
74LVQ00TTR	STM	SBC560	LITEON

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