Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SI7272DP-T1-GE3
Numéro de la pièce:SI7272DP-T1-GE3
Fabricant:Vishay Siliconix
Description:Transistor MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Catégorie:Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:TrenchFET®
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RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
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Caractéristiques SI7272DP-T1-GE3
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de FET | N-canal 2 (double) |
| Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
| Vidangez la tension de source (Vdss) | 30V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 25A |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 9,3 mOhm @ 15A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 1100pF @ 15V |
| Puissance - maximum | 22W |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bti extérieur |
| Paquet/cas | PowerPAK® SO-8 double |
| Paquet de dispositif de fournisseur | PowerPAK® SO-8 double |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage SI7272DP-T1-GE3
Détection
Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SI7272DP-T1-GE3
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