Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ RJM0603JSC-00#12

Numéro de la pièce:RJM0603JSC-00#12
Fabricant:L'électronique Amérique de Renesas
Description:Transistor MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Catégorie:Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:Des véhicules à moteur, AEC-Q101
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Adresse: ST MONGKOKKL DE ROI COMM CRT 2-16 FAYUEN DE RM4,16/F HO
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Caractéristiques RJM0603JSC-00#12

Statut de partieActif
Type de FETP-canal 3 N et 3 (pont triphasé)
Caractéristique de FETPorte de niveau de logique, commande 4.5V
Vidangez la tension de source (Vdss)60V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C20A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs20 mOhm @ 10A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs43nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds2600pF @ 10V
Puissance - maximum54W
Température de fonctionnement175°C
Montage du typeBti extérieur
Paquet/cas(0,433", largeur de 11.00mm) protection 20-SOIC exposée
Paquet de dispositif de fournisseur20-HSOP
ExpéditionUPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
ConditionNouvelle usine originale.

Emballage RJM0603JSC-00#12

Détection

China Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ RJM0603JSC-00#12 supplier

Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ RJM0603JSC-00#12

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