SSM6N48FU, rf (rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de D

Numéro de la pièce:SSM6N48FU, RF (D
Fabricant:Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Description:Transistor MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
Catégorie:Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Point d'origine:Original
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Adresse: ST MONGKOKKL DE ROI COMM CRT 2-16 FAYUEN DE RM4,16/F HO
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SSM6N48FU, rf (caractéristiques de D

Statut de partieObsolète
Type de FETN-canal 2 (double)
Caractéristique de FETPorte de niveau de logique, commande 2.5V
Vidangez la tension de source (Vdss)30V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C100mA (ventres)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs3,2 ohms @ 10mA, 4V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @1.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs-
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds15.1pF @ 3V
Puissance - maximum300mW
Température de fonctionnement-55°C | 150°C (TJ)
Montage du typeBti extérieur
Paquet/cas6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquet de dispositif de fournisseurUS6
ExpéditionUPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
ConditionNouvelle usine originale.

SSM6N48FU, rf (emballage de D

Détection

China SSM6N48FU, rf (rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de D supplier

SSM6N48FU, rf (rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de D

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