Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ NPT2010

Numéro de la pièce:NPT2010
Fabricant:Solutions de technologie de M/A-Com
Description:HEMT N-CH 48V 100W DC-2.2GHZ
Catégorie:Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Point d'origine:Original
Contacter

Add to Cart

Membre actif
Adresse: ST MONGKOKKL DE ROI COMM CRT 2-16 FAYUEN DE RM4,16/F HO
dernière connexion fois fournisseur: dans 16 heures
Détails du produit Profil de la société
Détails du produit

Caractéristiques NPT2010

Statut de partieActif
Type de transistorHEMT
Fréquence0Hz | 2.2GHz
Gain15dB
Tension - essai48V
Estimation actuelle-
Chiffre de bruit-
Actuel - essai600mA
Puissance de sortie95W
Tension - évaluée48V
Paquet/cas-
Paquet de dispositif de fournisseur-
ExpéditionUPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
ConditionNouvelle usine originale.

Emballage NPT2010

Détection

China Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ NPT2010 supplier

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ NPT2010

Inquiry Cart 0