Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRY

Numéro de la pièce:BLP05H635XRY
Fabricant:Ampleon USA Inc.
Description:FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 de RF
Catégorie:Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Point d'origine:Original
Contacter

Add to Cart

Membre actif
Adresse: ST MONGKOKKL DE ROI COMM CRT 2-16 FAYUEN DE RM4,16/F HO
dernière connexion fois fournisseur: dans 16 heures
Détails du produit Profil de la société
Détails du produit

Caractéristiques de BLP05H635XRY

Statut de partieActif
Type de transistorLDMOS (double), source commune
Fréquence108MHz
Gain27dB
Tension - essai50V
Estimation actuelle-
Chiffre de bruit-
Actuel - essai10mA
Puissance de sortie35W
Tension - évaluée135V
Paquet/casSOT-1223-2
Paquet de dispositif de fournisseur4-HSOPF
ExpéditionUPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
ConditionNouvelle usine originale.

Emballage de BLP05H635XRY

Détection

China Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRY supplier

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRY

Inquiry Cart 0