Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF878,112

Numéro de la pièce:BLF878,112
Fabricant:Ampleon USA Inc.
Description:FET LDMOS 89V 21DB SOT979A de RF
Catégorie:Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Point d'origine:Original
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Adresse: ST MONGKOKKL DE ROI COMM CRT 2-16 FAYUEN DE RM4,16/F HO
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Caractéristiques BLF878,112

Statut de partieObsolète
Type de transistorLDMOS (double), source commune
Fréquence860MHz
Gain21dB
Tension - essai40V
Estimation actuelle-
Chiffre de bruit-
Actuel - essai1.4A
Puissance de sortie300W
Tension - évaluée89V
Paquet/casSOT-979A
Paquet de dispositif de fournisseurCDFM2
ExpéditionUPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
ConditionNouvelle usine originale.

Emballage BLF878,112

Détection

China Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF878,112 supplier

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF878,112

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