Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF640U

Numéro de la pièce:BLF640U
Fabricant:Ampleon USA Inc.
Description:FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A de RF
Catégorie:Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Point d'origine:Original
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Adresse: ST MONGKOKKL DE ROI COMM CRT 2-16 FAYUEN DE RM4,16/F HO
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Caractéristiques de BLF640U

Statut de partieActif
Type de transistorLDMOS
Fréquence2.11GHz | 2.17GHz
Gain18.5dB
Tension - essai28V
Estimation actuelle-
Chiffre de bruit-
Actuel - essai100mA
Puissance de sortie700mW
Tension - évaluée65V
Paquet/casSOT-538A
Paquet de dispositif de fournisseur2-CDIP
ExpéditionUPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
ConditionNouvelle usine originale.

Emballage de BLF640U

Détection

China Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF640U supplier

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF640U

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