Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ STD5NM60T4 simples
Numéro de la pièce:STD5NM60T4
Fabricant:STMicroelectronics
Description:Transistor MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Catégorie:Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Série:MDmesh™
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RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
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Caractéristiques STD5NM60T4
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez la tension de source (Vdss) | 600V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 5A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Vgs (maximum) | - |
| Caractéristique de FET | - |
| Dissipation de puissance (maximum) | 96W (comité technique) |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 1 ohm @ 2.5A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur | D-PAK |
| Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage STD5NM60T4
Détection
Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ STD5NM60T4 simples
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