Dispositifs de semi-conducteur discrets du transistor MOSFET STP110N8F6 pour commuter des applications

Number modèle:STP110N8F6
Quantité d'ordre minimum:Négociable
Conditions de paiement:T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement:Quantité disponible 41128 pièces
Délai de livraison:Négociable
Modèle de produit:STP110N8F6
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Détails du produit
Gamme de produits
  • Applications de changement de transistor MOSFET STMicroelectronics STP110N8F6 de transistors de semi-conducteurs d'IDiscrete
  • N-canal 80 V, 0,0056 types de transistor MOSFET de Ω., 110 A, STripFET™ F6 T0-220
Caractéristiques d'appli
  • Sur-résistance très basse
  • Basse charge même de porte
  • Rugosité élevée d'avalanche
  • Basse perte de puissance d'entraînement de porte
  • Ce dispositif est un transistor MOSFET de puissance de N-canal s'est développé utilisant la technologie de STripFET™ F6 avec une nouvelle structure de porte de fossé. Le transistor MOSFET en résultant de puissance montre le RDS très bas (dessus) en tous les paquets.
Données de base
Attribut de produitValeur d'attribut
STMicroelectronics
Catégorie de produit :Transistor MOSFET
RoHS :Détails
SI
Par le trou
TO-220-3
N-canal
La 1 Manche
80 V
110 A
6,5 mOhms
- 20 V, + 20 V
2,5 V
150 OR
- 55 C
+ 175 C
200 W
Amélioration
STripFET
Tube
Marque :STMicroelectronics
Configuration :Simple
Temps de chute :48 NS
Taille :15,75 millimètres
Longueur :10,4 millimètres
Type de produit :Transistor MOSFET
Temps de montée :61 NS
Série :STP110N8F6
1000
Sous-catégorie :Transistors MOSFET
Type de transistor :1 transistor MOSFET de puissance de N-canal
Temps de retard d'arrêt typique :162 NS
Temps de retard d'ouverture typique :24 NS
Largeur :4,6 millimètres
Poids spécifique :0,068784 onces
FICHE TECHNIQUE DE TÉLÉCHARGEMENT
  • N-canal 80 V, 0,0056 types de Ω., 110 A, transistor MOSFET de puissance de STripFET™ F6 dans un paquet TO-220
Application
  • Applications de changement
  • Moteurs de BLDC
  • Moteurs synchrones un aimant permanent triphasés
  • Inverseurs
  • Demi conducteurs de pont
  • Systèmes de contrôle robotiques
  • Appareils
  • Infrastructure de grille
  • EPOS • Theate la maison
  • Systèmes répartis d'alimentation
  • Communications/infrastructure de mise en réseau
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Chip Diagram

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Dispositifs de semi-conducteur discrets du transistor MOSFET STP110N8F6 pour commuter des applications

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