Transistor à effet de champ de SMD/SMT Chip Circuit Protection IRF8736TRPBF 30V 18A

Number modèle:IRF8736TRPBF

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Modèle de produit:IRF8736TRPBF

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Détails du produit

Protection IRF8736TRPBF 30V 18A de Chip Circuit de transistor effet de champ de transistor MOSFET

Gamme de produits

Données de base

Attribut de produit	Valeur d'attribut
Fabricant :	Infineon
Catégorie de produit :	Transistor MOSFET
RoHS :	Détails
Technologie :	SI
Montage du style :	SMD/SMT
Paquet/cas :	SOIC-8
Polarité de transistor :	N-canal
Nombre de canaux :	La 1 Manche
Vds - tension claque de Drain-source :	30 V
Identification - courant continu de drain :	18 A
Le RDS sur - la résistance de Drain-source :	6,8 mOhms
Vgs - tension de Porte-source :	- 20 V, + 20 V
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source :	1,8 V
Qg - charge de porte :	17 OR
Température de fonctionnement minimum :	- 55 C
Température de fonctionnement maximum :	+ 150 C
Palladium - dissipation de puissance :	2,5 W
Mode de la Manche :	Amélioration
Emballage :	Bobine
Emballage :	Coupez la bande
Emballage :	Bobine
Marque :	Infineon Technologies
Configuration :	Simple
Taille :	1,75 millimètres
Longueur :	4,9 millimètres
Type de produit :	Transistor MOSFET
	4000
Sous-catégorie :	Transistors MOSFET
Type de transistor :	1 N-canal
Largeur :	3,9 millimètres
Partie # noms d'emprunt :	IRF8736TRPBF SP001551638
Poids spécifique :	0,019048 onces

Application

Transistor MOSFET synchrone pour la puissance de processeur de carnet
Transistor MOSFET synchrone de redresseur pour les convertisseurs d'isolement de DC-DC dedans
Applications de changement
Moteurs de BLDC
Moteurs synchrones un aimant permanent triphasés
Inverseurs
Demi conducteurs de pont
Systèmes de contrôle robotiques
Appareils
Infrastructure de grille
EPOS • Theate la maison
Systèmes répartis d'alimentation
Communications/infrastructure de mise en réseau

FICHE TECHNIQUE DE TÉLÉCHARGEMENT

Protection de Chip Discrete Semiconductors Circuit de transistor effet de champ IPD060N03LGATMA1

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