Transistors IGBTs de module d'alimentation de FGD3N60LSDTM IGBT simple
Numéro de la pièce:FGD3N60LSDTM
Fabricant:Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:IGBT 600V 6A 40W DPAK
Catégorie:Transistors - IGBTs - simples
Famille:Transistors - IGBTs - simples
Point d'origine:Original
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RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
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Caractéristiques de FGD3N60LSDTM
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type d'IGBT | - |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 600V |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 6A |
| Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 25A |
| Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 1.5V @ 10V, 3A |
| Puissance - maximum | 40W |
| Énergie de changement | 250µJ (dessus), 1mJ () |
| Type d'entrée | Norme |
| Charge de porte | 12.5nC |
| Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 40ns/600ns |
| Condition d'essai | 480V, 3A, 470 ohms, 10V |
| Temps de rétablissement inverse (trr) | 234ns |
| Température de fonctionnement | - |
| Montage du type | Bti extérieur |
| Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
| Paquet de dispositif de fournisseur | D-PAK |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de FGD3N60LSDTM
Détection
Transistors IGBTs de module d'alimentation de FGD3N60LSDTM IGBT simple
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